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根据激光器辐射适宜光波波长的需要,在Ga<,x>In<,1-x>As<,y>Sb<,1-y>相图中補充相应的波长数据,并选择合适的X,Y值和温度后,对材料进行合成制备.以供作激光器用.
GaInAsSb化合物在导弹激光制导中的意义
【摘 要】
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根据激光器辐射适宜光波波长的需要,在GaInAsSb相图中補充相应的波长数据,并选择合适的X,Y值和温度后,对材料进行合成制备.以供作激光器用.
【机 构】
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峨眉半导体材料研究所ZTS实验室
【出 处】
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第十二届全国相图学术会议
【发表日期】
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2004年6期
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金属有机物气相外延(MOVPE—Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)技术是获得Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体优质外延层的重要途径,是一个涉及多元复相系统及复杂化学反应的过程.在Ⅲ-Ⅴ族半导体相关体系热力学特征函数的评估与优化、热力数据库(Al-Ga-In-P-As-Sb-C-H)和(Al-Ga-In-N-C-H)的建立与完善的基础上,本文利用相图计算(CALPHAD—CALc
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