【摘 要】
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最近,一种具有类石墨烯结构的六边型新型二维材料GeC被提出,它与石墨烯结构最大的不同就是呈现出半导体性质[1-2]。在本研究中我们基于第一性原理系统的计算了MoSe2/GeC异质
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最近,一种具有类石墨烯结构的六边型新型二维材料GeC被提出,它与石墨烯结构最大的不同就是呈现出半导体性质[1-2]。在本研究中我们基于第一性原理系统的计算了MoSe2/GeC异质结的能带结构和光学性质。研究了GeC与MoSe2层间相互作用.结果表明,GeC和MoSe2形成了典型的范德华（vdW）异质结。GeC和MoSe2的价带和导带边缘费米能级的变化形成了Ⅱ型异质结构。此外通过表面静电势,差分电荷密度和Bader电荷分析,结果表明MoSe2/GeC异质结内部电场促进光生电子和空穴对的分离,同时我们通过与单层的光学吸收曲线做作比较发现,现成异质结可以明显的该善单层GeC和MoSe2在紫外和可见光区域的光吸收性能。这些结果表明MoSe2/GeC异质结在光催水方面具有优异的性能。
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