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掺杂是调控半导体材料的光电磁性能的最常用方法之一,掺杂理论上会产生各种缺陷态以及缺陷能级,从而引起与缺陷相关的发光等现象。对于锌基Ⅱ-Ⅵ 族半导体纳米材料,MnZ+掺杂的研究已取得较大的成功,如MnZ+掺杂ZnS 和ZnSe 纳米晶的发光量子产率已接近100％,其发光颜色可以在黄光到红光范围进行调控。