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利用RbOH作为阴极缓冲层制备出基本结构为ITO/NPB/Alq3/RbOH/Al的有机发光器件,并探索了缓冲层的最佳厚度。RbOH的蒸镀温度为300℃左右,比传统典型的阴极缓冲层材料如LiF、CsCO3低很多,因此在蒸镀RbOH时不需要使用高温源,可简化工艺,降低器件制作成本.实验结果表明,在阴极和有机发光层之间插入—层RbOH作为阴极缓冲层能有效地提高器件的亮度和效率,当其厚度为4nm时器件性能表现最优,与未加入缓冲层相比,器件的最大亮度与最大电流效率分别提高了15.5倍和3.6倍。