【摘 要】
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本章讨论了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件.经过大量实验总结出PMMA的工艺条件为:165℃前烘30分钟,曝光剂量选择380-500μC/cm,在20℃的温度下用MI
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本章讨论了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件.经过大量实验总结出PMMA的工艺条件为:165℃前烘30分钟,曝光剂量选择380-500μC/cm<2>,在20℃的温度下用MIBK:IPA=1:3的显影液显影1分钟,再用IPA冲洗30分钟,在80℃低温下烘烤30分钟以去除残余物质.SAL601是一种化学放大,对烘烤温度要求很严格.我们在实验中选用热板在105℃前烘2分钟曝光剂量为8-21μC/cm<2>,105℃后烘2分钟,用SAL601的专用显影液显影4-8分钟.
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