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射频磁控溅射制备了Ａｇ〈，１００－ｘ〉Ｃｏ〈，ｘ〉薄膜，并在真空下退火，退火温度为２０￣４００℃。在室温下测试了样品的磁滞回线，磁电阻回线。并用Ｘ射线衍射、ＴＥＭ，ＡＦＭ等研究了薄膜的微观结构，分析了颗粒尺寸和晶格常数随薄膜制备工艺的变化关系。当薄膜的Ｃｏ含量很低时，Ｃｏ的颗粒尺寸较小。随着Ｃｏ含量的增加，Ｃｏ颗粒尺寸增加。随着Ｃｏ含量的增加，薄膜的磁电阻效应先变大，到达一定值（ｘ＝３３）后薄膜的磁电阻效应变小，最大值为９℅。薄膜退火后，晶粒长大。对于Ｃｏ含量较低的薄膜，退火后，薄膜磁电阻效应增强。当ｘ＝３０时，随着退火温度的升高，磁电阻效应先增大，而后稍微减小。在Ｃｏ含量很高时，随着薄膜退火温度的升高，薄膜磁电阻效应明显减小。