HgCdTe/CdTe界面组分互扩散研究

来源 :第十三届全国红外科学技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hero_1205

【摘要】

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该文尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布

【作者】

：

巫艳杨建荣陈新强方维政王善力于梅芳乔怡敏何力

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所材料中心(上海)

【出处】

：

第十三届全国红外科学技术交流会

【发表日期】

：

1998年期

【关键词】

：

界面组分分析样品互扩散系数系数公式椭偏光谱椭偏测量厚度剥层腐蚀分布方法

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该文尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布。并根据上述结果对Zanio的提出扩散系数公式(1)进行修正，最终得到490℃的组分互扩散系数。D(x)=4×10<-3>×10<-3x>

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