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SiC单晶是非常重要的第三代半导体材料，其独特的物理性质决定了在大功率、微波电子器件中的地位，还可以应用到光电子领域，在半导体固体白光照明中也担当了不凡的角色。SiC结晶质量的好坏，直接影响到后续的外延膜及器件质量的优劣。所以对SiC结晶质量的客观表征，尤为重要。SiC单晶在切割、研磨、抛光等加工过程会引入晶片表面的损伤，这些损伤可能包括多晶层、弹性畸变层、微裂纹、位错、残余应力、表面缺陷等等，而这些损伤层与晶体内部的结构是有微小差异的。