【摘 要】
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GaN HEMT在高频、大功率应用领域具有广阔的发展空间,探索新的异质结材料体系、开发新的器件工艺技术,进一步发掘GaN材料的性能优势是器件研制不懈的追求。采用InAl GaN强应力势垒材料结构,发展了50nm GaN器件工艺技术体系,研制的GaN HEMT其f T/fmax超过180/400GHz。采用常规的Al GaN/GaN异质结材料研制的0.1μm GaN HEMT功率MMIC,在90GH
【出 处】
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2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)
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GaN HEMT在高频、大功率应用领域具有广阔的发展空间,探索新的异质结材料体系、开发新的器件工艺技术,进一步发掘GaN材料的性能优势是器件研制不懈的追求。采用InAl GaN强应力势垒材料结构,发展了50nm GaN器件工艺技术体系,研制的GaN HEMT其f T/fmax超过180/400GHz。采用常规的Al GaN/GaN异质结材料研制的0.1μm GaN HEMT功率MMIC,在90GHz输出功率达到5W。上述结果充分体现出GaN HEMT在高频、大功率方面的性能优势,体现出GaN HEMT在亚毫米波频段应用的发展潜力。论文还报告了在Si衬底上生长的低In含量InAl GaN超薄势垒结构,结合高质量缓冲层材料,研制的50nm栅长Si基GaN HEMT,其f T/fmax达到145/220GHz,器件击穿电压大于30V,综合性能国际领先,为实现Si基GaN HEMT在毫米波频段的应用以及Si基GaN HEMT多功能电路的研制奠定了基础。
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