磁场直拉硅单晶生长

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yayaguo123
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本文从等级微重力角度,阐述了磁场直拉硅单晶生长的原理和有关的效应.从控制马兰哥尼对流出发,说明了直拉硅的控氧机理,并推导出向熔体空间引入磁感应强度大小所对应的等效微重力等级的关系式,针对具体坩埚特征尺寸,计算出B<ω>与g<ω>的数量对应关系.
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