基于软开关电路测量的IGBT高频寄生参数抽取

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高频寄生参数是高频、大功率IGBT器件封装及其电力电子装置电磁兼容性(EMC)预测和设计的关键数据。本文介绍了一种通过电路测量法抽取IGBT封装寄生参数的新方法。从研究零电压、零电流开关条件下IGBT关断性能的非理想特性入手,用软开关测试电路测量抽取了发射极、集电极寄生电感;并通过栅极-发射极间阻抗的测量和分析,抽取了栅极寄生电感;同时研究还发现器件的寄生参数效应是形成关断性能非理想特性的主要原因;最后通过数字仿真结果和实测数据的对照,验证了本文寄生参数抽取方法的可靠性。
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