1.25 Gb/s CMOS工艺跨阻前置放大器的自检设计

来源 :全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：q999666

【摘要】

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本文介绍了如何采用0.25μm纯CMOS工艺实现1.25Gb/s低功耗的前置放大器.此前置放大器的单端跨阻增益为8KΩ,-3dB点带宽为1GHz,利用3.3V电源供电,功耗为100mW,整个芯片的面积

【作者】

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叶亚琴蒋湘

【机构】

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武汉邮电科学研究院烽火通信科技股份有限公司微电子部,武汉,430074

【出处】

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全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

工艺跨阻前置放大器自检电路结构及功能芯片跨阻增益低功耗电源供电点带宽设计面积单端

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本文介绍了如何采用0.25μm纯CMOS工艺实现1.25Gb/s低功耗的前置放大器.此前置放大器的单端跨阻增益为8KΩ,-3dB点带宽为1GHz,利用3.3V电源供电,功耗为100mW,整个芯片的面积为0.9mm×1.0mm.自检电路的设计是该款芯片的一大特点,文中着重介绍了自检电路的结构及功能.

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