论文部分内容阅读
HgCdTe的CdTe表面钝化
【机 构】
:
苏州大学物理科学与技术学院 中国科学院上海技术物理研究所(上海)
【出 处】
:
第十二届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
:
1999年12期
其他文献
在常压和较低温度(1073K)下利用溶胶-凝胶法制备了成分为Ca(MnCu)MnO的化合物,X射线衍射图表明当x≤1.5时化合物呈单一钙钛矿相.所有样品均未观测到金属-绝缘体转变,但随成份的改变有反铁磁-铁磁转变发生.它们的磁电阻随温度呈线性变化系.对x=1.5的样品,在77K和3T磁场下的磁电阻可达37%.
利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-Si:H子层形成,且尺寸可以精确控制.
本文构建了晶体双波长调Q激光腔内倍频的速率方程,通过数值求解,分析了不同腔长条件和倍频耦合条件对双波长脉冲激光时间特性和输出光子数的影响,通过仔细调整腔长和倍频耦合几何因子,理论上获得了均衡的红绿双波长调Q脉冲激光输出.
该文系统地研究了不同厚度的GaAs表面量子阱,在生长不同厚度的Al层后得到的光调制光谱的变化。实验表明,对于Al层较小的表面量子阱样品,表面量子阱的调制光谱峰位发生了蓝移,而对于Al层较厚的样品,表面量子阱的峰趋向平坦。