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射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响，使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响，总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速器等射频器件中的应用，得出了相关结论。
TiN镀层对射频器件表面二次电子倍增的抑制作用
【摘 要】
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射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响，使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响，总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速器等射频器件中的应用，得出了相关结论。
【机 构】
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Northwest Institute of Nuclear Technology,Xi'an 710024,China
【出 处】
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2012毫米波亚毫米波会议
【发表日期】
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2012年11期
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