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我们发现了化合物半导体载流子类型调控的一个潜在规则，这一规则将原本看上去无关的化合物半导体薄膜中的载流子浓度及类型调控与材料的绝对化学式直接联系起来：在不存在反位替代的情况下，材料的p型与n型仅由其绝对化学式决定(图1举例)，掺杂原子和空位缺陷的具体情况只会影响材料的载流子浓度和迁移率。