【摘 要】
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本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，实现了Unipolar
【机 构】
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The Institute of Microelectronics of Tsinghua University Beijing , 100084 , China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，实现了Unipolar与Bipolar兼容操作的需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了set过程需要字线限流的问题，进而可以实现‘0’和‘1’多bits数据的同时写入。芯片采用高低两种电压设计，同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。
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