【摘 要】
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采用与单光电子相比较的方法测量了国产GSO晶体样品的光电子产额,结果表明,GSO样品的光电子产额及能量分辨率与闪烁体的光电倍增管光阴极面上的放置方式有关,在较好条件下,被测GSO晶体的光电子产额可到2013phe/MeV,对Cs 661.6keV光峰的能量分辩为FWHM=10.1﹪.
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所中国科学院核分析技术重点实验室(北京) 上海联能科技有限公司(上海)
【出 处】
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第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会
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采用与单光电子相比较的方法测量了国产GSO晶体样品的光电子产额,结果表明,GSO样品的光电子产额及能量分辨率与闪烁体的光电倍增管光阴极面上的放置方式有关,在较好条件下,被测GSO晶体的光电子产额可到2013phe/MeV,对<137>Cs 661.6keV光峰的能量分辩为FWHM=10.1﹪.
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