电子封装材料是用于承载电子元器件及其相互连线，并具有良好电绝缘性的基体材料，主要起机械支持、密封保护、散失电子元件所产生的热量等作用，是高功率集成电路的重要组成部分。随着信息技术的高速发展，电子元器件中的芯片集成度越来越高，功率越来越大，对封装材料的散热要求也越来越高。同时，封装材料热膨胀系数还应与陶瓷基片和芯片保持良好的匹配，因为封装材料与陶瓷基片和芯片的热膨胀系数相差太大，就很容易引起芯片和陶瓷基片的炸裂或某些焊点、焊缝的开裂，从而导致电子器件失效。因此，导热率(TC)和热膨胀系数(CTE)是发展现代电子封装材料所必须考虑的两大基本要素。20世纪90年代以来，电子封装业随着信息技术的高速发展进人了一个快速发展期，致使以往的传统电子封装材料不能满足对其提出的更高、更全面的要求，因此，研制开发新型的电子封装材料已成为各国电子封装材料的研究重点。 本文针对几种主要的新型高导热电子封装材料，重点阐述了新型高导热电子封装材料在材料体系的探索与复合、封装材料及其部件的成形技术特别是一体化近净成形技术以及其应用领域与发展动向。