【摘 要】
：
为满足堆芯耐辐照半导体探测器的研制需求,利用CFBR-Ⅱ研究基于6Li(n,α)3H反应、附6LiF膜的SiC二极管探测器对中能中子的响应.采用241Am源研究SiC二极管的α粒子响应,结果表明：SiC对5.48MeVα粒子峰位稳定,计数率稳定,其能量分辨率为3.4％,可用于α粒子强度测量.用离子溅射技术完成SiC肖特基接触面6LiF膜的蒸镀,制成SiC中子探测器.将镀6LiF膜的SiC探测器置于
【机 构】
：
中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院中子物理重点实验室,四川 绵阳 621900
论文部分内容阅读
为满足堆芯耐辐照半导体探测器的研制需求,利用CFBR-Ⅱ研究基于6Li(n,α)3H反应、附6LiF膜的SiC二极管探测器对中能中子的响应.采用241Am源研究SiC二极管的α粒子响应,结果表明：SiC对5.48MeVα粒子峰位稳定,计数率稳定,其能量分辨率为3.4％,可用于α粒子强度测量.用离子溅射技术完成SiC肖特基接触面6LiF膜的蒸镀,制成SiC中子探测器.将镀6LiF膜的SiC探测器置于离CFBR-Ⅱ堆芯100cm处,并用厚度10cm的石蜡块作慢化体.采用MCNP4C计算表明,CFBR-Ⅱ堆芯出射的中子,经石蜡慢化后,能量在625keV以下的中子占76％.实验结果表明：SiC中子探测器对慢化后的中子响应良好,从脉冲幅度谱中可清晰得到α粒子、3H粒子双峰；γ射线在SiC探测器中沉积能量极少,可以利用脉冲幅度甄别法将其甄别.结合SiC耐辐照特性,有望将附6LiF膜的SiC二极管研制成堆内中子监测的中子探测器.
其他文献
为了研究球形含氢正比计数管在低能段内对γ射线的响应行为,利用MCNP程序模拟了两种不同能量的γ射线辐照球形含氢正比计数管的能量响应,采用的正比计数管的内充气体为100％H2,压强为5atm和10atm两种,再利用137Cs和60Co两种γ源进行了实验验证。结果表明,当γ源能量一定时,正比计数管内所充H2的压强越高,能量响应的范围也越大,气体压强为10atm情况下的γ射线能量响应的上限比5atm情况
针对α粒子能谱测量技术需求,自主研制了一种基于金硅面垒探测器(Silicon Surface Barrier,SSB)的可抽真空α能谱测量仪,为描述该能谱仪对α粒子的物理探测过程,依据统计物理理论,建立了一种探测器响应函数建模算法.利用能谱仪测量常压下239Pu电镀面源(1.05×10-2/s.2π)的α谱,所得测量能谱有1024道,239Pu面源发射出来的α粒子能量为5.1554MeV,对测量得
溴化镧(LaBr3∶Ce)是近年来新发展的闪烁体探测器，但是有关溴化镧晶体在成像探测方面的应用并不多，因此，针对溴化镧晶体的性能在γ射线成像方面的应用进行了相应的实验测量。采用溴化镧(LaBr3∶Ce)晶体耦合日本滨松的H8500型位置灵敏光电倍增管，并配备基于局域重心法的均衡电荷分配法读出电路，设计了一个小型成像探测模块。分别用99mTc射线源和57Co放射源测试成像模块的输出图像。初步的实验结
束流诊断技术在加速器研究中举足轻重，而束流的面密度分布(简称面分布)是束流诊断的重要内容。通过重带电粒子轰击荧光屏发光并采集荧光信号从而获取束流面分布的方法具有快速直观、结构简单、抗辐射性能较强等特点。对荧光屏的发光特性及饱和机理进行了研究；采用不同强度、不同能量的铁离子和氘离子束流对Al2O3∶Cr、ZrO2及YAG等荧光屏进行轰击，获得不同束流参数条件下几种荧光靶对重带电粒子的响应特性；采用S
能量分辨率是探测器的主要参数之一，法诺因子是决定探测器最大分辨率的基本因素之一.针对采用美国"Amptek"公司近年来开发出的电制冷硅漂移SDD半导体探测器，测量了Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、As共10种标准样品的特征X射线谱，建立了一种高斯型全能峰响应函数，从而获得不同元素特征X射线能量下的分辨率(用半高宽FWHM表示).在假设半导体中产生一对电子空穴对所需的能量为3.8
电离室测氚因其不需要制样、可以在线监测的特点而被广泛应用.氘的监测场所都有影响测量的射线，电离室测氚的难点是如何补偿由于γ辐射产生的本底.电离室由测量室和密封的补偿室构成，补偿室中的气体成份和压强是固定不变的，而测量室中的气体成份及压强随测量环境改变.将两个相同电离室置于0.6616MeV的γ源产生的γ场中，研究气体成份及压强对测氚电离室γ补偿能力的影响，并分析了不同气体成份在γ场中的能量沉积与气
快中子临界装置是以快中子诱发裂变为主的临界装置，其结构经常变化且启动频繁。其启动过程是采用中子倍增倒数外推逐步增加反应性，向临界逼近的过程。增殖-反应性测量系统可得到每一步表征系统临界性的临界参数，且在计数率增加过快时，提供保护信号，在快中子临界装置启动过程中对确保装置安全运行起着至关重要的作用。为了提高快中子临界装置运行的自动化水平，基于(片上可编程)SOPC、虚拟仪器等技术设计了快中子临界装置
由于新型闪烁计数器LaBr3有更优于NaI的能量分辨率,所以近年来被普遍用于野外勘查中,由于野外勘察普遍使用人工方式,勘察速度较慢,本文基于谈论新型的闪烁计数器LaBr3可否用于野外勘探时使用非人工方式(如车载方式等),进行了不同地形,不同高度时对LaBr3探测器影响的蒙特卡洛模拟,并对结果进行分析,得出当探测器离地面高度平均在38cm-45cm时,距离对其探测效率影响不大,如果高于50cm,则探
CFBR-Ⅱ堆可通过控制脉冲棒快速加入爆发脉冲产生模拟核爆辐射场，可用于研究超瞬发临界系统内持续裂变链产生发展的随机涨落规律研究.而脉冲棒反应性动态加载变化是该研究课题的重要输入参量，为此设计了反应性瞬时波动测量系统.系统主要由位移传感器、振荡器/解调器模块、多功能数据采集卡(DAQ设备)、计算机测量软件等组成.CFBR-Ⅱ堆爆发脉冲时辐照孔道内最大峰中子注量率比核电站高两个数量级，故采用lvdt
中子散射大厅是材料研究的重要工作场所,采用的中子束为冷中子,其中子能量区为5.67×10-4～2.04×10-2eV,现有的商用场所中子剂量探测能区不能覆盖该能区,有必要设计冷中子辐射剂量测量系统.采用M-C方法对冷中子辐射监测系统进行了设计研究,当采用4cm的聚乙烯慢化体时,在5.67×10-4～2.04×10-2eV能区内,其能响偏差好于13.5％,其灵敏度系数为1.12×10-1(Sv/h/