【摘 要】
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富溴全无机钙钛矿CsPbIBr2太阳能电池因其优异的稳定性在光伏领域内受到了广泛关注.但是其体相内严重的非辐射复合制约了器件开路电压的提升.在这项工作中,我们首先利用碱金属离子对CsPbIBr2薄膜的生长过程进行了调控,获得了具有高结晶性和致密表面的CsPbIBr2薄膜.此外,利用非卤素乙酸根离子钝化卤素空位缺陷减少非辐射复合,同时提高了α相的稳定性.最后采用低成本的丝印碳电极和室温沉积的氧化钛电
【机 构】
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华东师范大学 上海市闵行区东川路500号
【出 处】
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第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会
论文部分内容阅读
富溴全无机钙钛矿CsPbIBr2太阳能电池因其优异的稳定性在光伏领域内受到了广泛关注.但是其体相内严重的非辐射复合制约了器件开路电压的提升.在这项工作中,我们首先利用碱金属离子对CsPbIBr2薄膜的生长过程进行了调控,获得了具有高结晶性和致密表面的CsPbIBr2薄膜.此外,利用非卤素乙酸根离子钝化卤素空位缺陷减少非辐射复合,同时提高了α相的稳定性.最后采用低成本的丝印碳电极和室温沉积的氧化钛电子传输层获得了高效、稳定的碳基CsPbIBr2太阳能电池器件,冠军器件的VOC可达1.37V,最高PCE达10.78％,这也是目前CsPbIBr2太阳能电池器件的最高开路电压之一.进一步研究中还发现通过局部卤素交换反应,对器件界面卤素比例进行微调,可以实现VOC和PCE的进一步提高.该工作为从实验上进一步提高富溴全无机钙钛矿电池的光电转换效率提供了新角度.
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