【摘 要】
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近年高效低成本P型单晶硅电池相关技术层出不穷,转换效率迅速提高.然而工业界大规模用P型CZ单晶硅片中氧Oi含量较高,在光照条件下与B复合,形成的硼氧复合体导致少子寿命大幅度下降.本文在P型CZ单晶上采用AlOx/SiN、SiOx/SiN不同叠层钝化层,研究硅片的少子寿命以及对应的钝化发射极背接触(PERC)单晶硅电池在光照条件下的衰减特性.结果表明高效PERC单晶硅电池衰减幅度较常规单晶电池大1～
【机 构】
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无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏214028 无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏214028;江南大
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近年高效低成本P型单晶硅电池相关技术层出不穷,转换效率迅速提高.然而工业界大规模用P型CZ单晶硅片中氧Oi含量较高,在光照条件下与B复合,形成的硼氧复合体导致少子寿命大幅度下降.本文在P型CZ单晶上采用AlOx/SiN、SiOx/SiN不同叠层钝化层,研究硅片的少子寿命以及对应的钝化发射极背接触(PERC)单晶硅电池在光照条件下的衰减特性.结果表明高效PERC单晶硅电池衰减幅度较常规单晶电池大1～1.5％.
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