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聚-3-烷基噻吩(P3AT)作为一类重要的P-型半导体聚合物由于其结晶度高，已被广泛地应用于场效应晶体管、聚合物太阳能电池等领域。对于P3AT家族中一个重要的成员——等规聚-3-丁基噻吩(rr-P3BT)，由于其侧链最短，在普通有机溶剂中的溶解性差，所以限制了它的应用，相关的研究与报道也很少见。然而与其他拥有更长侧链的P3AT相比，P3BT的结晶度最高，所以电子传导性和由此导致的自由电荷迁移率理应最高。值得深入研究其分子结构调控与性能的关系。本文利用红外光谱研究了不同退火温度对P3BT Form Ⅰ晶型微结构的影响。