计算机闭环控径制备φ2.0英寸GaP单晶

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gxblackjack
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用高压液封直拉法(LEC法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度.本文阐述了LEC法制备GaP单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP单晶的初步结果.同时还介绍了LEC法制备GaP单晶直径控制的另外几种方法.
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水热法合成了新化合物:RE(HCO)(HNO)(HCO) (RE=Yb、Tm、Lu).用单晶X射线衍射方法测定了Lu化合物的晶体结构和Tm、Lu化合物的单胞参数.结构参数如下:属Y化合物结构类型,正交晶系,空间群C222(20),Z=4,a=0.6615(1)nm,b=1.819(6)nm,c=0.8388(3)nm,V=1.0096(5)nm,Mr=403.1,F(000)=752,Dx=2.6
镁镍合金(MgNi)以其优良的特性,被认为是最具有开发应用价值的储氢材料.氢化燃烧合成法,由于具有省能、省时和设备简单的优越性,已得到企业界的广泛兴趣和重视.本文主要介绍储氢材料镁镍合金MgNiH氢化燃烧合成方法的特点、反应机理和相关研究结果.
以二甲基锌、二甲基镉和二乙基碲为原料,借助于低压金属有机物气相外延设备(LP-MOVPE),在(100)GaAs衬底上生长了不同组分的CdNnTe外延层.分别用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)对外延层质量进行了表征.结果表明,在固定三种反应物流量不变的情况下,随着衬底温度升高,外延层中Cd组分含量单调递减.这一现象的起因被归结为反应物分子在吸附和脱附性质上的差异.
根据天然(Mn-SOD)的活性中心结构,选择EDTB(N,N,N′,N′-terakis(2′benzimidzolylmethyl)-1.2-ethanediamine)为主要配体合成了[Mn(EDTB)Ac]AC·CHOH,对配合物进行了表征,并用NBT光还原法对配合物进行了SOD活性测试,其k为1.01×10 Lmol·S.进行了配合物的抗昆虫重组病毒(ACHCV 5B)细胞试验,其对细胞的
本文分别采用超临界乙醇流体、超临界二氧化碳流体为干燥介质,对二氧化钛乙醇凝胶进行超临界干燥,制备了二氧化钛气凝胶.用XRD对构成气凝胶的晶粒进行表征.表明这些粒子均为锐钛矿型晶体,用Scherrer公式求出这些晶粒平均粒径为8.2nm和2.3nm.并用FT-IR对这些气凝胶进行表征.
本文在(超)声场下,用Sol-gel法制备了TiO凝胶.将凝胶在常温下用真空干燥得到干凝胶A,将干凝胶在400℃下煅烧2h,得超细TiO粒子B.通过X-ray粉末衍射表明A、B均为锐钛矿型晶体,由Scherrer公式求得平均晶粒粒径D分别为2.4nm,8.7nm.并与非(超)声场中制备的粒子(记作C)进行比较.用FT-IR、FT-Raman、DRS分别对三种粉粒进行了表征.
在Pt/TiO/SiO/Si衬底上,采用金属有机化合物分解法(MOD)制备了SrBiTaO(SBT)铁电薄膜.在氮氢混合气氛(Forming Gas,5℅H+95℅N)中,在不同的时间条件下对SBT铁电薄膜进行了退火处理,退火温度固定在400℃.结果表明氮氢混合气氛退火对SBT铁电薄膜的电滞回线影响很大,退火后,SBT铁电薄膜的剩余极化强度Pr下降了50℅左右,而退火对SBT铁电薄膜的抗疲劳特性影
利用RT66A标准铁电测试仪,系统地研究了在氮氢混合气氛中退火前后,以及氧气恢复性退火前后SrBiTaO(SBT)铁电薄膜的疲劳特性的变化.在疲劳特性测量中发现,当外加电压为6V和8V时,对于经过氮氢混合气氛退火的SBT薄膜,其归一化非挥发的剩余极化dP的值会随着极化反转的次数增加而逐渐增大,而在未经氮氢混合气氛退火处理的SBT薄膜上未观察到此现象.这个结果说明,经过氮氢混合气氛退火,在SBT薄膜
着重研究了采用热丝辅助等离子体化学气相沉积+负偏压技术,在CN薄膜制备过程中各种工艺参数(射频功率、衬底负偏压和衬底温度等)对薄膜结构和特性的影响.采用本技术制备CN薄膜的最佳条件是:衬底温度500~600℃,反应气体总气压110Pa,CH与N的流量比为1:5.5,衬底负偏压为-200V,热丝温度1200℃,射频功率200W.
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