真空区熔技术制备探测器级硅单晶工艺研究

来源 :中国有色金属学会第八届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hlxc8k
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采用鸭嘴形平板式线圈制备区熔真空高阻硅单晶,研究了加热线圈内径和内厚(线圈内径处铜板厚度)对拉晶移速、使用功率和单晶质量的影响.结果表明:减小加热线圈的内径可以将磁力线集中,增大磁场,加强耦合;减小加热线圈内厚可以增大加热线圈的尖角效应,产生狭窄磁场,使熔区变短,对成晶有利.
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