【摘 要】
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以MgO-Al2O3-SiO2（MAS）体系作为烧结助剂，采用无压烧结，通过控制烧结工艺，制备出具有不同晶相组成的Si3N4陶瓷。研究了晶相组成对氮化硅陶瓷微波介电性能的影响。借助XRD、SEM对Si
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以MgO-Al2O3-SiO2（MAS）体系作为烧结助剂，采用无压烧结，通过控制烧结工艺，制备出具有不同晶相组成的Si3N4陶瓷。研究了晶相组成对氮化硅陶瓷微波介电性能的影响。借助XRD、SEM对Si3N4陶瓷微观组织进行了研究。结果表明：在烧结过程中，有中间相Si2N2O产生；经1850℃、0．5h烧结，α-Si3N4全部转变为具有较大长径比，显微结构均匀的长柱状肛Si3N4晶粒；Al^3＋和O^2-能够进入β-Si3N。晶体内形成β＇-Si6-xAlxOxN8-x固溶体，使晶体内部产生较大的空隙或晶格
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