基于线性电路的拓扑Lieb Lattice的类量子自旋霍尔效应

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qvril
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  Lieb lattice模型因其具有丰富的拓扑性质[1]和受拓扑保护的局域态,一直是研究拓扑性质的重要模型。在此,我们通过设计不同的耦合连接方式[2],实现了紧束缚近似下的量子自旋霍尔系统与力学系统的对应,并在由集总电容和电感组建的线性电路系统中研究了Lieb lattice模型的拓扑性质及其相变。通过数值计算,我们画出了半无限电路系统的能谱图,并计算了在某一固定自旋下相应能带的第一陈数,如图(a)所示。随后,我们计算了不同能量下的场强,清晰的观测到了边界模的存在。最后,我们又在系统的边界上人为引入了缺陷态,发现边界模并不受缺陷的影响,也间接证明了该系统确实是受拓扑保护的。除此之外,我们还通过调节耦合电容值的大小,实现了对格点间耦合强度的调节,并且发现在相变点前后中带与下带拓扑性质发生变化,陈数互换。
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