【摘 要】
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本文报道用气相脉冲KrF(248nm)准分子激光“图形直写”技术晶化非晶硅(a-Si)薄膜制备周期性硅晶粒结构.实验发现,大小约为2μm的硅晶粒严格按确定的周期分布在样品中,在室温下样品发出红光,谱峰的峰波长位于723nm和750nm.通过改变a-Si薄膜的生长条件,控制晶化过程中激光光束的能量分布和样品中温度场分布,有望制备出晶粒尺寸更小的硅晶粒周期结构.
【机 构】
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兰州大学物理系(兰州) 兰州物理研究所(兰州)
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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本文报道用气相脉冲KrF(248nm)准分子激光“图形直写”技术晶化非晶硅(a-Si)薄膜制备周期性硅晶粒结构.实验发现,大小约为2μm的硅晶粒严格按确定的周期分布在样品中,在室温下样品发出红光,谱峰的峰波长位于723nm和750nm.通过改变a-Si薄膜的生长条件,控制晶化过程中激光光束的能量分布和样品中温度场分布,有望制备出晶粒尺寸更小的硅晶粒周期结构.
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