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本文采用金属辅助化学刻蚀法制备纳米图案化硅衬底,并且采用化学气相沉积法制备基于纳米图案化硅材料的氮化镓(GaN)复合体系,并对其应用进行基础性研究.
基于纳米图案化硅材料的GaN复合体系的光电性能研究
【摘 要】
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本文采用金属辅助化学刻蚀法制备纳米图案化硅衬底,并且采用化学气相沉积法制备基于纳米图案化硅材料的氮化镓(GaN)复合体系,并对其应用进行基础性研究.
【机 构】
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河南省郑州市大学路 75 号材料物理重点实验室 450052
【出 处】
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中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
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2011年9期
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