基于磁隧道结(MTJ)的磁传感器、磁存储器(MRAM)及高容量磁性薄膜电容

来源 :中国装备智能化与工业4.0技术大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yifeng9131120
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  磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)由钉扎层(Pinning Layer)、隧道势垒层(Tunnel Barrier)、自由层(Free Layer)构成。这种复杂的磁性材料层,既可以用作高性能传感器来感应磁场,也可以配以CMOS逻辑工艺制程并经过后端集成作为嵌入式非挥发性磁存储器使用,还可以用作高容量磁性薄膜电容。但是生产这种磁性材料层需要专门的生产设备以及大量研发能力较强和产业经验丰富的人才。多维科技是目前国内第一家已实现磁隧道结技术相关产品产业化的高科技企业。本报告将重点围绕多维科技的核心技术及产业化平台来阐述芯片设计、磁性材料层的制备及其典型应用。
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