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用MgB<,2>靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO<,3>衬底上原位一次性得到了MbB<,2>超导薄膜,其起始转变温度为33K,零电阻温度为15K.
直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜
【摘 要】
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用MgB靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO衬底上原位一次性得到了MbB超导薄膜,其起始转变温度为33K,零电阻温度为15K.
【机 构】
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人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系(北京)
【出 处】
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第六届全国超导电子器件学术会议
【发表日期】
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2001年7期
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