【摘 要】
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研究了Al/SiCp电子封装材料的制备工艺及其影响因素。通过工艺优化后,选用一种高分子有机粘结剂作为碳化硅骨架的低温粘结剂和造孔剂,选用碳硅烷有机物作为高温粘结剂和造孔
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研究了Al/SiCp电子封装材料的制备工艺及其影响因素。通过工艺优化后,选用一种高分子有机粘结剂作为碳化硅骨架的低温粘结剂和造孔剂,选用碳硅烷有机物作为高温粘结剂和造孔剂,压力在100～150MPa,烧结温度900℃×2h时,制备出多孔碳化硅骨架,该骨架在真空下渗铝,氮气压力为8MPa时,制备出了满足某用户要求的Al/SiCp电子封装材料,其热导率为188.69W/m·K,在100℃时热膨胀系数为8.749×10-6/K。
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