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为了减少硅片表面的悬挂键、降低表面复合速度,本文研究了在晶体硅衬底上低温热生长SiO2薄层的钝化效果,并且研究了SiO2/SiNx叠层对晶体硅表面的钝化作用。通过改变SiO2与SiNx薄层的厚度以及工艺条件,增强了对硅片的钝化以及光陷作用。最后通过合适的工艺条件,做出了适合工业化大规模生产的叠层钝化电池,电池分析表明,电池的短波响应明显提高,短路电流有近4％,同时开压也有约1％的提高,有效的提高了晶体硅太阳能电池的转换效率近3％。