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压电薄膜体声波传感器因其具有灵敏度高、尺寸小、易于集成等优点代表了未来传感器的发展方向。体声波传感器用于液体检测时，以厚度剪切模式振动的压电振子将减少声波能量在液体介质中的损耗，有利于提高传感器的灵敏度及品质因数。本文采用射频反应磁控溅射方法，通过旋转转盘，使衬底与靶材偏离一定角度，制备了c轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向，用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌，并初步讨论了倾斜A1N薄膜的生长机理。