新型InAs基InAsGaAsSb Ⅱ类超晶格特性研究

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lh305879918
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  生长在GaSb衬底上的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料体系是一种新型的红外探测用材料,通过改变InAs、GaSb各层的厚度,超晶格材料体系的禁带宽度可调,探测范围可覆盖3μm至30μm.在过去的十几年中GaSb基Ⅱ类超晶格红外探测器得到了快速的发展,高质量的中波、长波、双色等焦平面探测器已经成功制备,不得不说,InAs/GaSbⅡ类超晶格是新一代红外探测技术的优选材料体系.不过,尽管InAs/GaSb Ⅱ类超晶格探测器已经取得了快速的发展,然而其性能与碲镉汞探测器仍旧有一定的差距,并且超晶格红外探测器的理论优势并没有完全得以实现.
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