【摘 要】
：
采用柠檬酸盐法制备SnO-FeO粉体材料.XRD结构分析表明,在750℃焙烧温度下制得的粉体材料中铁原子大部分进入SnO晶格中,以SnO-FeO固溶体状态存在.采用750℃焙烧温度下制得的SnO-FeO固溶体为基体材料,制作旁热式气敏元件并考察其气敏特性.结果表明此类元件对乙醇、一氧化碳等还原性气体具有较高的灵敏度.同时元件长期稳定性良好,100天内元件阻值及灵敏度变化很小.
【机 构】
：
吉林大学电子科学与工程学院(吉林长春)
【出 处】
：
第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
采用柠檬酸盐法制备SnO<,2(0.9)>-Fe<,2>O<,3(0.1)>粉体材料.XRD结构分析表明,在750℃焙烧温度下制得的粉体材料中铁原子大部分进入SnO<,2>晶格中,以SnO<,2(0.9)>-Fe<,2>O<,3(0.1)>固溶体状态存在.采用750℃焙烧温度下制得的SnO<,2(0.9)>-Fe<,2>O<,3(0.1)>固溶体为基体材料,制作旁热式气敏元件并考察其气敏特性.结果表明此类元件对乙醇、一氧化碳等还原性气体具有较高的灵敏度.同时元件长期稳定性良好,100天内元件阻值及灵敏度变化很小.
其他文献
采用化学溶液沉积法,在Si[100]衬底上制备了掺La的(BiLa)TiO薄膜,研究了退火温度对薄膜结晶性及电学性能的影响.研究发现,随着退火温度的升高,样品的结晶性越来越好;漏电流密度随之降低,表明绝缘性逐渐增强.实验证明该薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.
利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了BiLaTiO/BiTiO/Si铁电薄膜,其中BiTiO作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构;用扫描电镜对薄膜样品进行表面形貌观察;并且对该结构的铁电性能进行了研究.
通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30℃切LaGaSiO晶片的相关参数就得到了LaGaSiO晶体较为准确的压电参数.其中LaGaSiO晶体的d和d分别为5.59×10C/N和-5.01×10C/N.(yxl)-30℃切LaGaSiO晶片具有较大的机电耦合系数k≈13﹪和较大的机械品质因数Q≈10000.
氧化钨和氧化镍是目前研究最多、应用最广的两种电致变色材料.本文详细地介绍了本实验室射频溅射WO和NiO薄膜的制备和性能以及以它们为基的夹层式固态电致变色器件的制作和性能.
采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO/p-Si衬底上成功制备了低漏电流BiTiO(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,BiTiO薄膜的漏电流密度在±3V偏压下低于10A/cm,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜的漏导机制不同,而且正向和负向电场作用下I-V曲线明显不同,正向漏电流明显小于负向漏电流.电压低于2V时,薄膜以欧姆导电机制为主,电压在2~5.
研究了MnO助烧剂对Ba(MgNb)O陶瓷的微观结构和微波介电性能.MnO可以有效地使Ba(MgNb)O陶瓷的致密化温度由1550℃降低到1400℃左右.随MnO掺量的增加,Ba(MgNb)O
陶瓷的1:2超晶格衍射峰的强度减弱,但是没有第二相出现.1400℃烧结4h陶瓷的晶粒尺寸在1.5μm左右.MnO的掺入改善了Ba(MgNb)O陶瓷的微波介电性能,MnO掺量为1﹪mol的Ba(MgNb)O陶
用熔盐法和固相法合成SrBiTiO粉体,对其微观形貌进行了对比.熔盐法合成的粉体片状结构明显,合成温度低,比固相合成合成温度低50℃,一定程度上避免了BiO的挥发.热压烧结的SrBiTiO陶瓷在(001)面取向非常明显,其压电性能也得到提高.
采用修饰的Pechini方法制备了纯相BaCoFeTiO(BCFT)样品.X射线衍射(XRD)证明了该方法制备的陶瓷粉体及烧结样品为单一的六方钙钛矿相结构.扫描电镜(SEM)观察显示BCFT烧结样品具有均匀的微结构.电导测量显示:在570℃以下具有电阻负温度系数(NTC)特征,而在570~1000℃则呈电阻正温度系数(PTC)特征,结合碘滴定对BCFT样品在不同温度下的氧非化学计量测量结果,分析认
采用溶胶-水热法合成了PLZST反铁电陶瓷纳米粉,并采用XRD,SEM和SAXS对其相组成、形貌和粒度进行了分析.PLZST晶相单一,纯度高,分散时为纳米球形,团聚为微米六面体,具自组装倾向.用溶胶-热压法制备了不同比例的PLZST/PVDF 0-3型压电复合材料.研究了组成、电极以及极化电压对其介电性能的影响.结果表明:质量比3:1的PLZST/PVDF复合材料在110℃,极化电压为15kV/m
用溶胶-凝胶的方法制得(111)取向的PZT铁电薄膜,并喷涂于Pt(111)Ti/SiO/Si衬底上.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式纳米级分辨率地观察到了几乎等间距或中间间距大于两侧的条状畸结构.这主要与晶粒和衬底间的应力应变有关.从这畴结构我们提出铁电畴形核和生长速率模型.其基本过程如下:(1)由于薄膜和底电极间周期性的结构和成分起伏,致使畴结构在此相连处形核.(2)铁电畴横向生长至相临