近年,Au、C、Cu₂Zn Sn S₄、Ni S、Pb S、Cu₂S、Cu₂-x S等多种量子点敏化太阳电池（QDSCs）对电极材料被广泛研究,用于取代在多硫电解质中易吸附硫属化合物的Pt对电极,其中Cu₂S和Cu₂-x S对电极表现出了相对较高的催化活性[1,2]。目前常用的Cu₂S和Cu₂-x S对电极一般通过溶液腐蚀黄铜片获得,此类对电极使用时会被电解质不断腐蚀,机械稳定性能差。本文研究了真空热蒸发方法在FTO基底上制备的具有不同Cu/S比的CuxS薄膜（VTE-Cu[3]xS）用作QDSCs对电极的性能。研究结果表明,VTE-CuxS对电极表现出的催化性能远高于Pt对电极,略高于基于黄铜片基底的Cu₂S对电极（Brass-Cu₂S）（如图1 A所示）。以Cd S/Cd Se量子点共敏化的TiO₂薄膜为光阳极,以VTE-CuxS为对电极制备的QDSCs获得了3.16±0.05%的光电转换效率（如图1 B所示）。并且,VTE-Cux S对电极在多硫电解质中具有较好的稳定性。