SrI2:Eu晶体的制备及其闪烁性能研究

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dakeke
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  2008年,在美国国土安全局和能源部的支持下,美国科学人员N.J.Cherepy等人采用“Direct Search Method”的方法重新发现了SrI2:Eu晶体优异的闪烁性能,相关研究迅速成为无机闪烁体领域的研究热点和前沿课题,高光学质量和大尺寸晶体的制备是目前困扰该晶体走向实质性应用的最大瓶颈之一.本文通过独特的原料预处理技术,利用坩埚下降法获取了直径达30mm、光学性能优良的SrI2:Eu晶体,探讨了坩埚开裂、晶体失透和开裂的原因,对制备出的SrI2:Eu晶体进行了闪烁性能表征,研究了晶体在X射线辐照后的余辉和热释光特性.
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本工作研究了掺铬钇镓石榴石(Cr4+:YGG)的三阶非线性光学性能,并首次实现了以Cr4+:YGG作为可饱和吸收体的调Q脉冲激光。本文利用Z-扫描技术系统研究分析了Cr4+:YGG的包括克尔效应和可饱和吸收在内的三阶非线性光学性能。
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开发碳化硅晶体生长炉三维电磁场、温度场数值模拟平台,研究了矩形截面(10mm×10mm)的电感线圈几何结构(轴对称结构、及非轴对称的螺旋结构)和布置参数对电磁场及温度场三维分布特性的影响规律。
本文采用改进的坩埚下降法生长高质量不同浓度Dy掺杂BSO透明晶体,研究了掺杂浓度对晶体闪烁性能的影响。所有生长晶体可见光区透过率达到80%左右,与纯BSO晶体相比,吸收边发生细微红移。
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