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采用空心阴极放电离子镀(HCD)技术，在硅基片上沉积Cr<,2>薄膜。用椭偏仪研究了Cr<,2>薄膜在大气环境里600°C的温度下，氧化层厚度随时间的变化关系。
用椭圆偏振法研究Cr<,2>N薄膜氧化层的厚度
【摘 要】
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采用空心阴极放电离子镀(HCD)技术，在硅基片上沉积Cr薄膜。用椭偏仪研究了Cr薄膜在大气环境里600°C的温度下，氧化层厚度随时间的变化关系。
【机 构】
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洛阳工学院
【出 处】
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'2000全国高等工科院校物理教育学术研讨会
【发表日期】
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2000年期
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