【摘 要】
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铁基超导11体系由于结构简单和低毒性等优点一直受到广泛研究.我们通过控制靶材的Fe含量,引入一定浓度的铁空位,成功地将11薄膜的超导转变温度提高到了21 K,制备了传输临
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铁基超导11体系由于结构简单和低毒性等优点一直受到广泛研究.我们通过控制靶材的Fe含量,引入一定浓度的铁空位,成功地将11薄膜的超导转变温度提高到了21 K,制备了传输临界电流密度可达2*105 A/cm2 (4 K,9T)的高质量11体系单晶薄膜,并利用MgO衬底在薄膜中成功诱导出柱状钉扎中心,减小了临界电流的各向异性,最后利用薄膜中Se含量可调控的有利因素,成功得到了第一个完整的11体系掺杂相图；通过优化工艺和选择合适的降温方式,合成了高质量的FeSe0.5Te0.5粉末,并结合粉末套管法(PIT),拉拔压扎出了第一根3米长Nb包套的FeSe0.5Te0.5带材,测量结果表明,其超导转变温度约为15.7K,传输临界电流密度值可达921 A/cm2(5K,自场).我们还对11体系的磁通钉扎行为和磁通钉扎机理开展了系统研究.
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