【摘 要】
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用磁控溅射技术制备不同调幅波长（L）的W（Mo）/Cu纳米多层膜,所制膜系在60 KeV氦离子（He+）辐照条件下注入不同剂量:0、1×1017He+/cm2、5×1017He+/cm2。利用SRIM软件模拟上述不同调
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用磁控溅射技术制备不同调幅波长（L）的W（Mo）/Cu纳米多层膜,所制膜系在60 KeV氦离子（He+）辐照条件下注入不同剂量:0、1×1017He+/cm2、5×1017He+/cm2。利用SRIM软件模拟上述不同调幅结构的W（Mo）/Cu纳米多层膜的He+离子辐照损伤动态过程,获取He+离子浓度,能量转移消耗,辐照损伤（DPA）等随样品深度变化的分布曲线及其与调幅波长（界面百分比）的相关性。模拟结果表明:（1）W（Mo）/Cu纳米多层膜调幅波长越小,膜界与晶界所占比表体积百分数越大,对He+离子沉陷作用越为显著;（2）当总厚度不变的情况下,模拟结果表明He+离子穿过调幅波长越小的膜系界面的消耗的总能量越多;（3）相同注入剂量条件下,W（Mo）层与Cu层对He+离子的响应行为存在显著差异,与实验结果吻合。
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