掺N的ZnO薄膜制备和性能研究

来源 :四川省电子学会传感技术第十届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qiyueliuhua
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
利用化学气相沉积法(CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H20为源,NH<,3>为掺杂气体制备出掺N的ZnO薄膜,并采用XRD、SEM、XPS、EDS和PL谱对薄膜的结构、形貌、成分和光学特性进行分析。结果表明:在非平衡条件下得到具有(100)和(101)混合取向的ZnO薄膜,随着源温的降低,薄膜有C轴生长的趋势;薄膜的颗粒尺寸较均匀;薄膜样品中nZn:nO接近1;室温PL谱表明薄膜具有强的近带边紫外发射。
其他文献
本文对我国科技期刊的发展进行了探讨。文章总结并分析了我国科技期刊面临的问题,提出了科技期刊适应市场化发展的建议。
本文简要介绍了用于应变、温度测量的光纤光栅敏感元件的传感机理,以及将光纤光栅粘贴在金属弹片上对球面间隙进行测量的原理。对研制的光纤光栅传感器进行了性能测试,将其用
一、年 会 1944年第12届年会仍分区举行. 昆明区年会1944年10月14-15日举行(与其他七个科学团体联合举行),到会会员61人,宣读论文31篇.论文作者为吴大猷(4篇,指本人或本人及
巴金同志说:“香港《文汇报》为了庆祝创刊三十年出版纪念文集,向我约稿,我答应写一组《创作回忆录》。……我写这些《回忆》,不管怎样东拉西扯,绝不是无病呻吟,更不是无的
本文制备了一种新型的有机气敏材料─取代稀土双酞菁,该材料具有优良的溶解性能和成膜性能,无需任何分子支撑剂即可较好地在纯水亚相上形成LB膜。当铺展量为0.5mg/m时,崩溃压
会议
采用分析纯FeCl·6HO和NH·HO为主要原料,控制不同Cu
会议
随着现代科学技术的发展,航空航天及地质勘探业迫切需要能够在更高的温度下工作的新型压电陶瓷材料及其器件。本文综述了近年来高性能、高居里温度压电陶瓷材料的研究进展。
氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.3eV)和较低的亲和势(3.0eV),有可能用作薄膜场发射中的阴极材料。本文主要研究了采用射频溅射法制备不同掺杂(Al)浓度ZnO薄膜时,掺杂浓度对光致
本文阐述用光刻、湿法腐蚀和键合等微细加工技术进行微全分析系统中微通道的研制过程。采用SU-8胶和硅材料制作出了作为聚二甲基硅氧烷的母模板。在优质玻璃材料上制作出微通
采用射频溅射工艺在石英基片上制备了未掺杂和掺Al 5at%,10at%及20at%的ZnO薄膜。研究了薄膜的透过率,结果表明随着Al浓度的增加,薄膜光学吸收边蓝移,掺Al 20at%薄膜的禁带宽度展
会议