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利用化学气相沉积法(CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H20为源,NH<,3>为掺杂气体制备出掺N的ZnO薄膜,并采用XRD、SEM、XPS、EDS和PL谱对薄膜的结构、形貌、成分和光学特性进行分析。结果表明:在非平衡条件下得到具有(100)和(101)混合取向的ZnO薄膜,随着源温的降低,薄膜有C轴生长的趋势;薄膜的颗粒尺寸较均匀;薄膜样品中nZn:nO接近1;室温PL谱表明薄膜具有强的近带边紫外发射。