【摘 要】
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利用分子束外延方法（MBE）,在W（110）单晶衬底成功外延生长了密堆的Ce单晶薄膜;然后在超高真空中控制Ce单晶薄膜的氧气暴露剂量,并控制退火温度,使表面生成不同结构的有序氧化物薄
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利用分子束外延方法（MBE）,在W（110）单晶衬底成功外延生长了密堆的Ce单晶薄膜;然后在超高真空中控制Ce单晶薄膜的氧气暴露剂量,并控制退火温度,使表面生成不同结构的有序氧化物薄膜,并分析它们的价带变化。在整个氧化退火过程中,我们利用X射线光电子能谱（XPS）监测表面的化学状态,利用低温扫描隧道显微镜（LT-STM）分析表面形貌的变化,利用低能电子衍射技术（LEED）分析表面结构,利用角分辨光电子能谱（ARPES）分析表面的价带谱。通过一系列实验控制氧气暴露量和退火温度,先后成功制备了六角相Ce2O3（0001）、Ce7O12、Ce19O34（001）和四方相Ce2O3（001）等有序薄膜,并对比了这些氧化物由于氧配位数变化而导致的价带变化。
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