ZnS∶Er[*+*]交流电致发光薄膜中的深能级

ZnS∶Er[+]交流电致发光薄膜中的深能级

来源 :第四届全国发光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：newlinge

【摘要】

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该文报导采用热激电流（TSC）法，对三种不同结构的ZnS∶Er[*+*]—ACTFEL样品，在80度K—430°K温度范围内，检测得三个热激电流峰。可认为ZnS:Er[*+*]层体内。ZnS:Er[*+*]/Y[*v2*]O[*v

【作者】

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陈振湘孙书农刘瑞堂

【机构】

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厦门大学

【出处】

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第四届全国发光学术会议

【发表日期】

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1986年期

【关键词】

：

交流电致发光薄膜热激电流陷阱能级温度范围样品位置体内实验密度介面结构检测估算

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该文报导采用热激电流（TSC）法，对三种不同结构的ZnS∶Er[*+*]—ACTFEL样品，在80度K—430°K温度范围内，检测得三个热激电流峰。可认为ZnS:Er[*+*]层体内。ZnS:Er[*+*]/Y[*v2*]O[*v3*]或ZnS:Er[*+*]/SnO[*v2*]介面处存在不同深度的陷阱能级。估算其位置和密度。并对实验结果进行讨论。（本刊录）

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