在ZnSxSer-x单晶中自由激子光谱的研究

来源 :全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zxg668888

【摘要】

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在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构。激发光谱的结构。激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组分X密切有关的X＝0．125和X＝0．02样品相比较，随着X

【作者】

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黄锡眠

【机构】

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中国科学院长春物理研究所

【出处】

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全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议

【发表日期】

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1985年期

【关键词】

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单晶自由激子能量弛豫振荡结构激发光谱寿命激子迁移光学声子三元系非均匀组分样品声学混晶

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在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构。激发光谱的结构。激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组分X密切有关的X＝0．125和X＝0．02样品相比较，随着X的增加而延长自由激子的寿命。同时在发光谱振荡结构中增加光滑成分和背景即减少光学声子形成的能量弛豫，增加声学声小形式的能量弛豫。这些现象归结于在混晶中非均匀势垒引起的激子迁移的减少。（本刊录）

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