论文部分内容阅读
阻尼调节是微型惯性传感器设计和制造中的一个关键环节,本文采用圆片级封装在传感器可动结构的周围形成了几微米厚的气垫,并可以调节气垫的压力从0.1Pa～0.3MPa变化,再通过塑封实现了气密性封装.作为技术验证器件研制了高g值传感器,经空气炮测试量程超过13万g,阻尼满足设计要求.
一种用于MEMS器件的可调节阻尼的圆片级封装方法
【摘 要】
：
阻尼调节是微型惯性传感器设计和制造中的一个关键环节,本文采用圆片级封装在传感器可动结构的周围形成了几微米厚的气垫,并可以调节气垫的压力从0.1Pa～0.3MPa变化,再通过塑封
【机 构】
：
河北半导体研究所
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
其他文献
微机电系统MEMS(MicroElectroMechanicalSystem)是将微电子技术与传统的传感器技术相结合产生的,它是具有微传感器、微处理器、微执行器等智能的微型机械系统,将有广泛的使用
会议
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原
会议
本文利用原子力显微镜(AtomicForceMicroscope(AFM))和扫描电镜(ScanElectronMicroscope(SEM))对磁存储器(MagneticRandomAccessMemory(MRAM))驱动电路与存储单元--磁性隧道
会议
碱性介质下集成电路硅衬底CMP的磨削速率与化学和机械两种作用有关,我们得到了硅衬底CMP的数学模型V=KPP(n-7)Tv.CMP浆料的悬浮性,粘度,表面张力,流动性都会对CMP的质量产生
会议
为满足介质CMP对平整度、去除速率、良好表面质量的要求,对其抛光液主要成分硅溶胶的生长进行研究,做了一系列关于硅溶胶生长的实验,在多次的分析比较之后,制备出了粒径均匀
本文提出了一种快速制备电化学反应中工作电极阵列的方法.此法利用集成电路制造工艺,将TiW-Au溅射在玻璃基片上,并通过曝光显影等加工工艺,利用感光胶SU-8作为绝缘层,制造出
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它
本文研究了DHF溶液中金属Cu在硅片表面的沉积情况和几种特选的螯合剂在DHF中的应用.GFAAS的测试结果表明:DHF溶液中加入少量螯合剂,就可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减
本文以硅微机械FP腔器件为代表,该器件采用了标准的硅表面加工工艺,分析了此类具有悬空结构的MEMS器件在进行牺牲层的腐蚀和最终的结构释放过程中的各种问题.根据所遇到问题
Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度
会议