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本文以普通CZ生长炉为基础,具体讨论了在横向磁场条件下利用CZ法生长太阳能级硅单晶中氧含量的变化以及晶体径向电阻率的变化,得出了在增设横向磁场后,通过CZ法生长的硅单晶中的氧含量可以得到较为明显地降低以及晶体的径向电阻率可以得到比较明显改善的结论。
横向磁场在太阳能级硅单晶生长中的应用
【摘 要】
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本文以普通CZ生长炉为基础,具体讨论了在横向磁场条件下利用CZ法生长太阳能级硅单晶中氧含量的变化以及晶体径向电阻率的变化,得出了在增设横向磁场后,通过CZ法生长的硅单晶
【发表日期】
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2008年期
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