【摘 要】
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本文以MOCVD方法实现了ZnO薄膜材料的生长.生长村底是(100)面偏向〈111〉A 15°的N型GaAs片,生长反应的锌源和氧源分别为DEZn、H2O;载气为N2.分别摸索了反应压强、温度对ZnO薄膜材料的生长质量的影响;同时在160℃、1000Pa的条件下,生长出在(002)面(ZnO晶体对应衍射角34.379°)取向的ZnO薄膜材料,测量生长出的材料衍射角为34.232°.
【机 构】
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中国科学院半导体所光电子器件国家工程研究中心,北京,100083
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本文以MOCVD方法实现了ZnO薄膜材料的生长.生长村底是(100)面偏向〈111〉A 15°的N型GaAs片,生长反应的锌源和氧源分别为DEZn、H2O;载气为N2.分别摸索了反应压强、温度对ZnO薄膜材料的生长质量的影响;同时在160℃、1000Pa的条件下,生长出在(002)面(ZnO晶体对应衍射角34.379°)取向的ZnO薄膜材料,测量生长出的材料衍射角为34.232°.
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