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GaN材料断裂韧性研究

来源 :第十九届全国疲劳与断裂学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kfqwyf

【摘 要】

：

压电半导体材料由于其特殊的力电耦合性质，在传感器、电子器件等制造领域得到了较为广泛的应用.基于可靠性的问题，近年来，其在力电联合载荷作用下的断裂行为引发了人们的关注.本文以氮化镓压电半导体材料为对象，利用三点弯曲多场加载平台研究了外加电场对极化的GaN 材料断裂韧性的影响.实验结果表明，当施加电场达到1.25 kV/cm 时，断裂韧性(KIC)提高了9.6％左右，但随着电场的进一步增加，断裂韧性基

【作 者】

：

张鑫 秦国帅 范翠英 赵明暤 

【机 构】

：

郑州大学,力学与工程科学学院,郑州 450001 郑州大学,力学与工程科学学院,郑州 450001

【出 处】

：

第十九届全国疲劳与断裂学术会议

【发表日期】

：

2018年10期

【关键词】

：

压电半导体 GaN 电场 断裂韧性 数值模拟 

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论文部分内容阅读

　　压电半导体材料由于其特殊的力电耦合性质，在传感器、电子器件等制造领域得到了较为广泛的应用.基于可靠性的问题，近年来，其在力电联合载荷作用下的断裂行为引发了人们的关注.本文以氮化镓压电半导体材料为对象，利用三点弯曲多场加载平台研究了外加电场对极化的GaN 材料断裂韧性的影响.实验结果表明，当施加电场达到1.25 kV/cm 时，断裂韧性(KIC)提高了9.6％左右，但随着电场的进一步增加，断裂韧性基本保持不变.

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