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本文主要介绍了利用GaN基/SiC,发射波长在395-400nm范围内的紫光LED作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光LED.对自制荧光粉作了简要介绍,对荧光粉与紫外光LED优化匹配制成的白光LED的主要参数进行了测量,给出测量结果.
GaN基/SiC紫光转换白光LED研制
【摘 要】
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本文主要介绍了利用GaN基/SiC,发射波长在395-400nm范围内的紫光LED作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光LED.对自制荧光粉作了简要介绍,对荧光粉与紫外光LED优化匹配制成的白光LED的主要参数进行了测量,给出测量结果.
【机 构】
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中国科学院长春光机与物理研究所(长春)
【出 处】
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第九届全国LED产业研讨与学术会议
【发表日期】
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2004年6期
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