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根据ZnO晶体的结晶特性,研究设计出一种无籽晶石英生长安瓿,其关键技术参数为:自发成核区采用多区间淘汰,分别设置籽晶淘汰区、籽晶平行区、放肩结晶区和安瓿主体区多个区域,将籽晶淘汰区和放肩结晶区设置为35~45°的大角度,籽晶淘汰区和平行区长度缩短至2~5 mm以获得快速充分的几何淘汰。